型號 ：ZCL-700

一、真空室：

1. 形式：雙腔室結構，中間（jiān）配置閘板閥。

 A、濺（jiàn）射室：700（寬）x700(深)x600mm(高（gāo）)，後開門。配置3個 CF35法蘭，軸心指向工作台，用於觀測，觀測路徑上（shàng）不得有阻擋（dǎng）;另設置φ100mm觀測窗一個。

B、進（jìn）料室：500（寬）x500(深)x600mm(高)，前開門。配置射頻離子源（yuán）（清洗）和傳送（sòng）機（jī）構，支持Φ250mm×20mm（高），重量≥2kg樣品的送入。

C、閘板閥：500x400mm.送料機構（gòu）傳送。

2. 室體材料304不鏽耐酸鋼，內壁不（bú）鏽鋼（gāng）拋光，外壁噴丸處理。

3. 含2套腔體（tǐ）防汙板 （304材料）。

4. 樣（yàng）片在上，磁控靶在上

5. 冷卻管（guǎn）道采用304不鏽鋼管。

6. 主機與電控櫃連接之電纜，應裝（zhuāng）入線槽，且從上方通過。

7. 所有供水管均采用塑（sù）料高壓氣管，進、出水塑料高壓氣管采用兩種不同顏色顯示。

8. 控電櫃采用（yòng）縱櫃形（xíng）式。

二、真空（kōng）係統：

1．進料室：A.極（jí）限真空（kōng） ≤1.0x10-3pa，恢複真空： 大（dà）氣→9×10-1Pa ≤30min。

B.真空泵配置：250分子泵 + GSD120B幹泵一台

C.送樣係統 采用（yòng）load-lock室送樣係統，支持Φ250mm×20mm（高），重量≥2kg樣品的送入。

2．濺射室：A.極限真空 ≤5.0x10-5pa，恢複真空： 大（dà）氣→1.0×10-4Pa ≤40min

B.升壓率：≤5.0pa@12hours

C.真空泵配（pèi）置：GSD120B幹泵一台（低噪音）+ 400分子泵一台

D.濺射真空室抽氣速率45min內（nèi）真空度≤1×10-4Pa 

E.濺射真空室升壓率 ≤5.0Pa@12hours

3. 真空（kōng）係統（tǒng）測量：自動真（zhēn）空（kōng）壓強控製儀；觀察窗口徑≥Φ80mm

4. 真（zhēn）空係統操作：自動/手動(PLC控製)

三、加熱控溫係統：

  1.管狀（zhuàng）加（jiā）熱器加熱紅外輻射加熱，功率6Kw。

2.加熱控製溫度範圍：室溫~300℃，分辨率0.1℃，控溫精度：≤±2℃。

3.數字PID自動控溫係（xì）統，溫（wēn）度可控（kòng）可調（測量（liàng）位置：被鍍基片附近）；非接觸工件（jiàn）直接測溫，熱電偶（ǒu）控溫。

四、工作台（基片（piàn）台）

1.正置工作台（tái）1個，共聚焦濺射。工（gōng）作台旋（xuán）轉，3-30rpm無級變速，速度連續可調。

工作模式

全自動濺射（shè）：調取預存設置參數，濺射全程無需幹預，支持999層膜層參數設置。

半自動濺射：可單獨（dú）設置全部控製參數，並執行濺射程序，中途可以（yǐ）中斷並修改參數並重新濺射。

手動濺射：點動控製各硬件模塊（kuài），進行濺（jiàn）射。

2.工件旋（xuán）轉：自轉，轉（zhuǎn）速5~30rpm；可放置φ250mm樣品一件。

3.濺射（shè）膜厚均勻（yún）區：不均勻性小於±5%@1μm，區域（yù）直徑（jìng）≥200mm。

4. 濺射膜厚重複（fù）性：≥95%

5.加熱控溫係統采用（yòng）電阻絲加熱；紅外輻射加熱，非接觸工件直接測溫，熱電偶控溫；加熱控製溫度範圍：室溫~300℃，分辨率0.1℃，控溫（wēn）精度：≤±2℃。

6.工作台高度可調，以滿足靶基距離調整要求。

五、磁控濺射靶及電源（直徑（jìng）6英吋磁控靶，濺射靶數量3個，角度可（kě）調（diào））：

.直流濺射電源（3件）：3KW（恒流（liú）控（kòng）製）；射頻電源2件（jiàn），1.5Kw。

2.濺射方式：由上往下濺射；靶基間距80-300mm可調，調節（jiē）量可控，分辨率≤±1mm。

3.濺射材料：A.金屬：Au、Pt、Ti、Cr、Ni、W、Fe、Cu、Ag、Al、NiCr、NiSi

B.非金屬：AlN、SiO2、Al2O3

4.每件靶上麵有氣動擋板，擋板可（kě）旋轉。

5.濺射模式 直（zhí）流濺射/射頻濺射

6.功率 直流濺射功率≥1000W；射頻濺射功率（lǜ）＞600W。

7.有效區域 ≥Φ250mm

8.濺射膜厚均勻性 不均勻性小於±5%@1μm 區域直徑≥200mm。

9.濺射膜厚重複性 ≥95%

10.靶電極和（hé）冷卻水管須套在（zài）不鏽鋼（gāng）管（guǎn）內；

11.磁控濺射靶的冷卻水做到隻要鍍（dù）膜開機抽真空，其冷卻水就暢通；

12.直流、射頻磁控電源（yuán）能方便切換到（dào）需要工作的磁控（kòng）濺射靶上，預（yù）濺射（shè）

正式濺射的時間能直觀地顯示在觸摸屏上。

六、壓力控製係統：

.自動壓強控製儀：控製範圍（wéi）5×10-2Pa（0.1Pa）～10 Pa可調，穩定（dìng）控製精度±0.1Pa

2.氣路控製3路工藝氣體進氣，1路N2，1路Ar，1路O2，質量流量計控製氣體流量。

3.充氣係統：配3隻日本山武質量（liàng）流量計。

4.氣路：全金屬管路，采用內壁拋光不鏽鋼管。

七（qī）、清洗係統：

Load-lock室配置IBD-RISE-12-HO射頻離子源，可對樣品（pǐn）進行射頻（pín）清（qīng）洗。

八、計算機全自動控製係統：

1.控製方式：17”一（yī）體式工控機電腦 + 工（gōng）業控製PLC模塊。

2.性能：

1）可靠性：..的故（gù）障反饋及誤操作互鎖保護功能，具備各係（xì）統的自診斷功能：設備一旦出現故障，自（zì）動存儲故障記錄，發出聲光報警，等待操作人員（yuán）檢查處理；                             

2）自動化（huà）：可以實（shí）現從排（pái）氣到濺射完成的一鍵控製，控製較為靈活。

3）用戶可自行編寫濺射程序，並由此濺射機自動（dòng）實施。

3.濺射數據管理：

1）參數包括但不限以下：膜（mó）層的（de）濺（jiàn）射氣壓、功率（電壓、電流）、時間、溫（wēn）度、基片台轉速等

2）真空度數據保存及曲線顯示；

4.工作（zuò）模式：

1）全自動濺射：調取預存設置參數，濺射全程無需幹預，支持999層膜層參數設置。

2）半自動濺射：可單獨設（shè）置全部控製參數，並執行濺射程序，中途可以中斷並修（xiū）改參數並重新濺射（shè）。

3）手動濺射：點動（dòng）控製各硬件模塊，進行濺射（shè）。

每層膜層的濺射（shè）氣壓（yā）曲線（xiàn）、功（gōng）率（電壓、電流）曲（qǔ）線、時間、溫度曲線、基片台轉速等參數（shù）並以（yǐ）數據表和圖片的形式導出，且界麵美觀。

4.濺射過程自動化，自動控製的主要內容：

1）具備..的（de）故障反饋（kuì）及誤操作互鎖保護功能以及各係（xì）統自診斷功能；

2）真空係統抽、排氣可（kě）編程設置，由工控電（diàn）腦自動控製完成；

3）工件盤轉動的高，低速旋轉可編程設置；

4）氣體管路閥門及進氣量可編程設置；由工控電（diàn）腦自動控（kòng）製壓控儀完成；

5）各個泵閥（fá）的（de）控製由PLC來自動完成；

6）膜（mó）厚控製采用時（shí）間功率方式進行，可顯示濺射時間及功率；

5.控製特點：

1）人（rén）機界麵為中文觸摸形（xíng）式（shì），可由觸摸屏（píng）或鍵盤和鼠標進行對話；

2）參數設置功能：時間、功率及相關參數；

3）可通過編程進行（háng）參數設置，也可在電腦屏（píng）幕上（shàng）直接輸入；

4）具有..的數據（jù）信息自動（dòng）存儲功能（néng），記錄文件可方便的輸出；

5）記錄文件格式可轉換為Excell格式（shì）

6）整個工作過（guò）程自動（dòng）儲存。

7）保護功能具備自（zì）鎖、互鎖安全保護措施

九、安裝（zhuāng）要求：

1.環境（jìng）溫度：10～35℃;

2.相對濕度：不大於80%；

3.設備周圍環境整潔，空氣清潔，不應有可引（yǐn）起電器及（jí）其他（tā）金屬表麵腐蝕或引起金屬間（jiān）導電（diàn）的塵埃或氣體存在。

十一、設（shè）備動力要求：

1.水源: 自來水循環（huán），水（shuǐ）壓0.2～0.3Mpa，水量～60L/min，進水溫度≤20℃～25℃；

2.氣（qì）源：氣壓0.6Mpa；

3.電源：三相五線製220V/380V，50Hz，電壓波動範圍：三相342～399V，單（dān）相198～231V；頻率波動範圍：49～51Hz；設備功率：～20KW；接地電阻4Ω；

十（shí）一（yī）、設備總尺寸：＜2.5m(長) x 1.5m(寬) x 2.0（高）