一、主要用途:

本設備是乙方專門（mén）針對各大專院（yuàn）校及（jí）科研單位（wèi）對光刻機的使用特（tè）性研發的一種精密光刻機（jī），它主要用於中小規模集成電路、半導體元（yuán）器（qì）件、光電子器件（jiàn）、聲表麵波器件的研製和生產（chǎn）。

二（èr）、 主要性能指標

1、曝光類型：單麵；

2、曝光麵積（有效麵積）：φ310mm；

3、曝光照（zhào）度均勻性：≥ 96%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可調；

5、紫（zǐ）外光束角：≤3˚；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命（mìng）：2年；

8、曝光分辨率：2μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯（xiǎn）微鏡移動範圍：X：±50mm   Y：±100mm；

11、對準範圍：X、Y±3mm；Q±3°；

12、套刻精度：2μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、接觸－分離漂移：≤2μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實現硬（yìng）接觸、軟接觸和微（wēi）力接觸曝光；

16、找平方式：三點式（shì）自動找平（píng）； 8英（yīng）寸wafer；

17、顯微係統：雙視場CCD係統，顯微鏡91X～570X連續（xù）變（biàn）倍（物鏡1.6X～10X連續（xù）變倍），雙物鏡距（jù）離可調範圍50mm～120mm，計算機圖像處理係統（tǒng），19″液晶監視器（qì）；計算機圖像處理係統，19″以上液晶監視器（qì）；CCD用HMDI端口；

18、掩膜板尺（chǐ）寸： 355.6mm×355.6mm（12英寸wafer對應版）；228.6mm×228.6mm（8英寸wafer對應版）；

19、基片尺（chǐ）寸：φ304.8mm；

20、基片厚度：12英寸厚度775±20um；8英寸厚度725±20um；

21、曝（pù）光定時：0～999.9秒可調；

22、對準精度：±1μm；

23、曝光頭移（yí）動：電動；

24、電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤3KW；

25、潔（jié）淨空氣壓力：≥0.4MPa；

26、真空（kōng）度：-0.07MPa~-0.09MPa；

27、G-26D12型光刻機的組（zǔ）成：

由主（zhǔ）機（含機體和工作台），對準用單筒顯微鏡（jìng），高均勻性曝光頭組成。

28、附件如下：

a.主機（jī）附件：

1)掩膜版（bǎn）板架，按上麵第18提供。

2)真空夾持（chí）承片台，按（àn）以上提供。

b．顯微鏡組成

1)高分（fèn）辨（biàn）率單筒顯微鏡二個。

2)二個CCD。

3)視頻連接線。

4)計算機和19"液晶監視（shì）器（qì）。