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G-25D6型高精密單麵光刻機

一、主要用途:本設備是我公(gōng)司專門針對各大專院校及科(kē)研單位對光刻機的使用特(tè)性研發的一種精密光刻機,它 主要用於(yú)中小規模集成電路…

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G-25D6型高精密單麵光(guāng)刻機



一、主要用途:

本設備是我公司專門針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用(yòng)特性研發的一種精密光刻機,它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器(qì)件、聲表麵(miàn)波器件的研製和生產。

LED曝光頭及(jí)部件圖



三(sān)點找平機構(gòu)高(gāo)精度XYZQ 調節機構



二、主要技術指標(biāo):

1、曝光類型:單麵;

2、曝光麵積:150×150mm;

3、曝光照度不均勻性: 150×150mm範圍內≤±3%;

不均勻性用紫外檢測計測量(UV-A型紫外輻照計)


測量5點(如圖)

4、曝光強度:≤30mw/cm2可調;

5、紫外光束角:≤3˚;

6、紫外光中心波長:365nm;

7、紫外光源壽命:≥2萬小時;

8、采(cǎi)用電子快(kuài)門;

9、曝光分辨率:2μm;

10、曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光;

11、對準範(fàn)圍:X、Y 調節 ±5mm;Q向調節±3°;

12、套刻精度:2μm;

13、分離量;0~50μm可調;

14、曝光方式:密著曝光,可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸(chù)曝(pù)光;

15、找平方式:氣浮找平;

16、顯微係統(tǒng):雙視場CCD係統,顯微鏡91X~570X連續變倍(物鏡1.6X~10X連續變倍),雙物鏡距(jù)離可調範圍50mm~120mm,計算機圖像處理係統,19″液晶監視器;

17、掩模版尺寸(cùn): 7″×7″英寸;

18、基片尺寸:Φ6″一件;

19、基片厚度:≤5 mm;

因基片(piàn)的(de)厚度不同,製作承片台時需要進行分級處理,單獨設計製作,1mm為一個(gè)等級(基片厚度:0-5mm可分為五個等級:0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中:我公(gōng)司隨機配送厚度為0-1mm等級的承片台,若用戶還需其餘等級承片台(訂貨時用戶須說明,費(fèi)用另議)。

20、曝光定時:0~999.9秒(miǎo)可調;

21、電源(yuán):單相AC220V  50HZ ,功耗≤1.5KW;

22、潔淨空氣壓力:≥0.4MPa;

23、真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;

24.設備所需(xū)能源:

主機電源: 220V±10%   50HZ,1.5KW。

潔淨空氣≥0.4MPα。

真空:-0.07~-0.08MPα。

25.G-26D型高精(jīng)密光刻機的組成:

由LED紫(zǐ)外曝光頭、CCD顯(xiǎn)微(wēi)顯示係統、對準工作台、電(diàn)氣控(kòng)製係統構成。


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