G-30B4型高精密光刻機

設備（bèi）概述:

本設備（bèi）為我公司專門針對各大、中、小型企業的使用特性而（ér）研發的一種高精密雙麵光刻機，它主要用於中小規模集成電路、半導體元器（qì）件、聲表麵波器（qì）件的研製和生產,它具有（yǒu）生產效率高、結構簡單、操作維護方便等（děng）優勢，本機不僅（jǐn）適合4英寸以下各型基片（piàn）的曝（pù）光，也適合易（yì）碎（suì）片如砷（shēn）化鉀、磷化銦（yīn）等基片的曝光以及非圓（yuán）形基片和小型基片的曝光。

主要功能特點

1.適用範圍廣適用於（yú）Φ100mm以下，厚度5mm以下的（de）各種基片(包括非圓形基片)雙麵一次曝光。

2. 結構（gòu）穩定

本（běn）設備配置有可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構；具（jù）有真空掩膜版架（jià）、真空片吸盤。

3. 操作簡便

本設備操作（zuò）簡單（dān），調試、維護（hù）、修理等都非常（cháng）簡便（biàn）。

4. 設備運行穩定、可靠

采用進口電磁閥、按（àn）鈕、定時器；采用獨特的氣動係統、真空（kōng）管路係（xì）統和精密的機械零件，使本機（jī）具有（yǒu）非常高的可靠性。

5. 特設功能

除標準承片台外，還可以（yǐ）為用戶定製專用承片台，來解決非圓形基片、碎（suì）片和底麵不平 的基片造成的版片分離（lí）不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術指標

1、曝光類（lèi）型（xíng）：雙麵（miàn）；一次同時曝光(高均勻性汞燈曝（pù）光頭)

2、曝光麵積（jī）：Φ110mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±4%；

4、曝光強度：≤7mw/cm²；

5、紫外光中心波長：365nm；

6、曝光（guāng）分（fèn）辨率：2μm；

7、曝光方式：接觸式曝光；

8、掩（yǎn）模版尺寸：≤127×127mm；

9、基片尺寸：≤ Φ100 mm（或者（zhě）100×100mm）;

10、基片厚度：≤5 mm；

11、曝光定（dìng）時：0～999.9秒可調；