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G-30D4型高精密單麵光刻(kè)機

一、 主要用途:本設備(bèi)是我公司(sī)專門針對各(gè)生產單位對光刻機(jī)的使用特性研發的一種精密光刻機,它主要用於中小規模集成電路、半導體元…

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G-30D4型高精密單麵光刻機

設(shè)備概述:

本(běn)設備為(wéi)我公司專門針對各大、中、小型企業的使用特性而研發的一種高精密雙(shuāng)麵(miàn)光刻機,它主要用於中小規模集(jí)成電路、半導體元器件、聲(shēng)表麵波器件的研製和生產,它具有生產效率高、結構簡(jiǎn)單、操作維護方便等優勢(shì),本(běn)機不(bú)僅適合4英寸以下各(gè)型基片的曝光,也適合易碎片如砷(shēn)化(huà)鉀、磷化銦(yīn)等基片的曝光以及(jí)非圓形基片和小型基片的曝(pù)光。 主要由防(fáng)震工(gōng)作台、LED專用曝光頭、氣動係統、電氣控製係統、真空管路係統、直聯式真空泵及附件箱等組成。


曝光頭及部件圖

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主要功能特(tè)點

Φ100mm以下,厚度(dù)(包括非圓形基片

2. 結構穩(wěn)定

有真空掩膜版架、真(zhēn)空片吸盤。

本設(shè)備操作簡單,調試、維護、修理等都非(fēi)常簡便。  

采用進口電磁閥、按(àn)鈕、定時器;采用獨特的氣(qì)動係統、真空管路係統和精密的機械

5. 特(tè)設功能  的基片造成的版片分離不開所引起的版片無(wú)法對準的問題  

主(zhǔ)要技術指標

1曝光類型(xíng):接觸式(shì),雙麵,一次同時曝(pù)光(配置4″LED專用曝光頭)

2、曝光(guāng)麵積:110×110mm

3、曝光(guāng)照度不均勻性:≤±3%

4、曝光強度:030mw/cm²可調;

5、紫外光束角:≤3°

6、紫外光中心波長:365nm

7、紫外光(guāng)源壽命:≥2萬小時;

8、工作麵溫度:≤30

9、采(cǎi)用電子快門;

10、曝光分辨率(lǜ):2μm(曝光深度為(wéi)線寬的(de)10倍左右)

11、曝光方式:接觸式曝光;

12、掩模版尺寸:≤127×127mm

13、基片尺寸:≤ Φ100mm;

14、基片厚度:≤5 mm

15、曝光定時:0999.9秒可調;

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