G-31B6型高精密光刻機

產品介紹：

設備概述

本（běn）設備（bèi）廣泛用於各大、中（zhōng）、小（xiǎo）型企業、大專院校、科研單位，它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表麵波（bō）器件、薄膜電路、電力電子器件的研製和生產。

主要構成 本設備為板板對準雙麵曝光

曝（pù）光頭部件圖

CCD顯微係（xì）統|X、Y、Q對準工作台

1.適用範圍（wéi）廣

適用於（yú）φ160mm以下、厚度5mm以（yǐ）下的各種基片(包括非圓（yuán）形基片)的對準曝光，雙麵可同時曝光，亦可用於單麵曝光。

2.結構穩定

Z軸（zhóu）采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防（fáng）粘片機（jī）構。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式；吸版（bǎn）、反吹（chuī）采用按鈕方式，操作、調試、維護（hù）、修理都非（fēi）常（cháng）簡（jiǎn）便。 4. 可靠性高

精密的（de）機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。

除標準承片台外，還可以為用戶（hù）定製專用承片台，來解決非圓形基片、碎片和底麵

1、工作台行程(X向、Y向/Z向/θ向）：±5mm/10mm/±5°；

2、適用基片尺寸: ≤6英寸；

3、掩模版尺寸：≤ 7″（175×175 mm）；

4、對準精度（正（zhèng）麵對準/背麵對準）:±2um/±3um；

5、放大倍率:51×～570×(ccd連續)；

6、曝光光源:UV365，500W**壓汞燈；

7、曝光麵積:φ160mm；

8、曝光分辨率:2 um（膠厚≤1 um，正膠、真空接（jiē）觸）；

9、光（guāng）強 :≥ 5mW/cm²；

10、曝光不均勻性:±5%；

11、曝光時間（jiān）:0～999.9s；