一、主要用途:

本設備是乙方專門針對各大專院校及科研單位對光刻（kè）機的使（shǐ）用特性研（yán）發的一種精密光刻機，它主要用於中小規模集（jí）成（chéng）電路、半導體（tǐ）元器件、光電子器件（jiàn）、聲表麵波器件的研製（zhì）和生產。

二（èr）、 主要性（xìng）能指標

1、曝光類型：單麵；

2、曝光麵積（有效麵積）：φ310mm；

3、曝光照度均勻性：≥ 96%；

4、曝光強度（dù）：0～30mw/cm²可調；

5、紫外光束角：≤3˚；

6、紫外光（guāng）中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：2年；

8、曝光分辨率：2μm；

9、曝光模式（shì）：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡移動範圍：X：±50mm   Y：±100mm；

11、對準範圍：X、Y±3mm；Q±3°；

12、套刻精度：2μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、接觸－分離漂移：≤2μm；

15、曝光方（fāng）式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點式自動找平； 8英寸wafer；

17、顯微係統：雙視場CCD係統，顯微鏡91X～570X連續變倍（物鏡1.6X～10X連續（xù）變倍），雙物鏡距離可調（diào）範圍50mm～120mm，計算機圖像處理係統（tǒng），19″液晶監視器；計算機圖像處理係統，19″以上液晶監視器；CCD用HMDI端口；

18、掩（yǎn）膜板尺寸： 355.6mm×355.6mm（12英寸wafer對（duì）應版）；228.6mm×228.6mm（8英寸wafer對應版）；

19、基片尺寸：φ304.8mm；

20、基片厚度：12英寸厚（hòu）度775±20um；8英寸厚度（dù）725±20um；

21、曝光定時：0～999.9秒可調；

22、對準精度：±1μm；

23、曝光頭移動：電動（dòng）；

24、電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤3KW；

25、潔淨空氣壓力：≥0.4MPa；

26、真（zhēn）空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

27、G-26D12型光刻（kè）機的組成：

由主機（含機體和工作台），對準用單筒顯微鏡，高均（jun1）勻性曝光（guāng）頭組成。

28、附件如下：

a.主機附件：

1)掩膜（mó）版板架，按上麵第18提（tí）供。

2)真空夾持承片台，按以上提供。

b．顯微鏡組成（chéng）

1)高分辨率單筒（tǒng）顯微鏡二個。

2)二個CCD。

3)視頻連接線。

4)計算（suàn）機和19"液晶監（jiān）視器。