G-25D6型高精密單麵（miàn）光（guāng）刻機

一、主要用途:

本設備是我公司專門針對各大專（zhuān）院校及科研單位對光刻機的使用特性研（yán）發的一種精（jīng）密光刻機，它主要用於中小規模集成電路、半（bàn）導體元器件（jiàn）、光電子器件、聲表麵波器件的研製和生產。

LED曝光頭及部件圖

三點找（zhǎo）平機構高精度X、Y、Z、Q 調節（jiē）機構

二、主要技術指標（biāo）：

1、曝光類型：單麵；

2、曝光麵積：150×150mm；

3、曝（pù）光照度不均勻性： 150×150mm範圍內≤±3%；

不均勻性用紫外檢（jiǎn）測計（jì）測量（UV-A型紫外輻照計）

測量5點（如圖）

4、曝光強度：≤30mw/cm2可調；

5、紫外光束角：≤3˚；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、采用電子快門（mén）；

9、曝光分辨率：2μm；

10、曝光模式：可選擇一次曝光或（huò）套刻曝光（guāng）；

11、對準範圍：X、Y 調節 ±5mm；Q向（xiàng）調節±3°；

12、套（tào）刻精度：2μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、曝光（guāng）方式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

15、找平方式：氣浮找平；

16、顯微係統：雙視場CCD係統，顯微鏡91X～570X連續變倍（物鏡1.6X～10X連續變倍），雙（shuāng）物鏡距離可調範圍50mm～120mm，計算機圖（tú）像處理（lǐ）係統（tǒng），19″液晶監視器；

17、掩模版尺寸： 7″×7″英寸；

18、基片尺寸：Φ6″一件;

19、基片厚度：≤5 mm；

因基片的厚度不同，製作承片（piàn）台時（shí）需要進行分級處理，單獨設計製作，1mm為一個等級（jí）(基片厚度（dù）:0-5mm可分為五個等級：0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中：我公司隨機配送厚度為0-1mm等級（jí）的（de）承片台，若用戶還需其（qí）餘等級承片（piàn）台（tái）（訂貨時用戶須說（shuō）明，費（fèi）用另議）。

20、曝（pù）光定時：0～999.9秒可調；

21、電源（yuán）：單相（xiàng）AC220V  50HZ ，功耗≤1.5KW；

22、潔淨（jìng）空（kōng）氣壓力：≥0.4MPa；

23、真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

24.設備所需能源：

主機（jī）電源： 220V±10%   50HZ，1.5KW。

潔淨空氣≥0.4MPα。

真空：-0.07～－0.08MPα。

25.G-26D型高精密（mì）光刻機的組成：

由LED紫外曝光頭、CCD顯微（wēi）顯示係統、對（duì）準工作台、電（diàn）氣控製係統構（gòu）成。