G-26型高精密光刻機

產品介（jiè）紹：

設備概述:

本設備廣泛應用於進行批（pī）量生產的各大（dà）、中、小型企業，它主要用於中小規模集成電路、半導體元器（qì）件、聲表麵波器件的研製和生產（chǎn）,由於（yú）本機找平機構**，找平力小、使本機（jī）不僅適合各型基片（piàn）的（de）曝光，而且也（yě）適合（hé）易碎片（piàn）如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非（fēi）圓（yuán）形基片和小型基片的曝光。

CCD顯微顯示係統、高（gāo）均勻（yún）性曝光頭、

曝光頭（tóu）及部件圖

主要功能特點

150X150mm以下，厚度（dù）(包括非圓形基片

有真空掩膜版架、真空片吸盤，本機采用高均勻性的LED專用曝光頭，非常理想的三點式（shì）自動找平機構和穩定可靠的真空密（mì）著裝置，使本（běn）機的曝光分辨率大為提高。

采用版不動片動的下置式三層導軌對準方式，使（shǐ）導軌自重和受力方（fāng）向保（bǎo）持（chí）一致，自動消Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接（jiē）觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的（de）複用率和產品的成品率。

采用（yòng）進口（日本（běn）產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動係統、真空管路係統和（hé）

不平的（de）基片造成的（de）版片分離不開（kāi）所引起的版（bǎn）片無法對準的問題

主要技（jì）術指標<span style="font-family:;" "="">

1、曝光類型：單（dān）麵；

2、曝光麵積（jī）：150×150mm；

3、曝光（guāng）照度不均勻性：≤±3.5%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可調；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中（zhōng）心（xīn）波長（zhǎng）：365nm（也可以配專用（yòng）曝光頭實現g線、h線（xiàn）、I線的組合）；

7、紫外光源（yuán）壽命：≥2萬小時；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡掃（sǎo）描範圍：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、對準範圍：X、Y粗調±3mm，細調±0.3mm；Q粗調±15°，細調±3°；

12、套刻精度：1μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、接觸－分離漂移：≤1μm；

15、曝（pù）光方（fāng）式：接（jiē）觸式曝光（guāng）；

16、找平方式：三點式自動找平（píng）；

17、顯微係（xì）統：雙視場CCD係統，顯（xiǎn）微鏡91X～570X連續變倍（物鏡1.6X-10X連續變倍），雙物鏡距離可調範圍50mm～100mm，計算（suàn）機圖像處理係（xì）統，19″液晶監視器；

18、掩（yǎn）模（mó）版尺寸： ≤152×152mm；

19、基片尺寸：≤Φ127mm（或者127×127mm）；

20、基片厚度：≤5 mm

21、曝光定時：0～999.9秒可調；