G-30B4型高精密光刻機

設備概述:

本設備（bèi）為我公司（sī）專門針對各大、中（zhōng）、小型企業的使用特性而研發的一種（zhǒng）高精密雙麵光刻機，它主要用於中小規模集成電路、半（bàn）導體元（yuán）器件、聲表麵波器件的研製和生產（chǎn）,它（tā）具有生產效率高、結構簡單、操作維護（hù）方便等優勢，本機不（bú）僅適合4英寸以下各型基片的曝光，也適合易碎片如砷化鉀、磷（lín）化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型（xíng）基片的曝光。

主要功能特點

1.適用範（fàn）圍廣適用（yòng）於（yú）Φ100mm以下，厚（hòu）度5mm以下的各種基（jī）片（piàn）(包括非圓形基片)雙麵一次曝光。

2. 結構（gòu）穩定

本設備（bèi）配置（zhì）有（yǒu）可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構；具有真空（kōng）掩膜版架、真空片吸盤。

3. 操作簡便

本設備（bèi）操作簡單，調試、維護、修理等都（dōu）非常簡便。

4. 設備運行穩定、可靠

采用進口電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動係統、真空管路係統和精密的機（jī）械零件，使本機具有非（fēi）常高的可靠性。

5. 特設功能（néng）

除標準承片台外，還可以為用戶定製專用（yòng）承片台（tái），來解決非圓形基片、碎片和底麵不平 的基片造成的版（bǎn）片分離（lí）不開所引起的版片無法對準的問題

主要（yào）技術指標

1、曝光類型：雙麵；一次同時曝光(高均勻性汞燈曝光（guāng）頭（tóu）)

2、曝光麵積（jī）：Φ110mm；

3、曝（pù）光照度不均勻性：≤±4%；

4、曝光強度：≤7mw/cm²；

5、紫外（wài）光中心（xīn）波長：365nm；

6、曝光（guāng）分辨率：2μm；

7、曝光方式：接觸式曝光；

8、掩（yǎn）模版尺寸：≤127×127mm；

9、基片尺寸：≤ Φ100 mm（或者100×100mm）;

10、基片（piàn）厚（hòu）度：≤5 mm；

11、曝（pù）光定時：0～999.9秒可（kě）調；