G-30D4型高精密單麵光刻機
設備概述:
本設備為我公(gōng)司專(zhuān)門針對各大(dà)、中、小型企業的使用特性而研發的一種高精密雙麵(miàn)光刻機,它主要(yào)用於中小規模集成電路、半(bàn)導體元(yuán)器件、聲表(biǎo)麵波器件的研製和生產,它具有(yǒu)生產效率(lǜ)高、結構簡單、操(cāo)作維護方(fāng)便等優勢,本機不僅適合4英寸以下各型基片的曝(pù)光,也適合易碎(suì)片如砷化(huà)鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的(de)曝光。 主要(yào)由防震工作台、LED專用曝(pù)光頭、氣動係統、電氣控製係統、真空管路係統、直聯式真空泵及附件箱等組成。
曝光頭(tóu)及部件圖
主要(yào)功能特點
Φ100mm以下,厚度(包括非圓形基片
2. 結構穩定 有真(zhēn)空掩膜版架、真空片吸盤。 本設備操作簡單,調試、維護、修理(lǐ)等都非常簡便。 采用進口電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣(qì)動係統、真空管路係統和精密的機(jī)械 5. 特設(shè)功能 的基片(piàn)造成的版片分離不(bú)開所引起的版片無(wú)法對準(zhǔn)的問題
主要技術指(zhǐ)標 1、曝光類型(xíng):接觸(chù)式,雙麵,一次同時(shí)曝光(配置4″LED專(zhuān)用曝光頭) 2、曝光麵積:110×110mm; 3、曝光照度不均勻性:≤±3%; 4、曝光強度:0~30mw/cm²可調; 5、紫外光束角:≤3°; 6、紫外光中(zhōng)心波長:365nm; 7、紫外(wài)光源壽命:≥2萬小時(shí); 8、工作麵溫度:≤30℃ 9、采用(yòng)電(diàn)子快門; 10、曝光分辨率(lǜ):2μm(曝光深度為線寬的10倍左右) 11、曝(pù)光方式:接觸式曝光; 12、掩(yǎn)模版尺寸(cùn):≤127×127mm; 13、基片尺寸:≤ Φ100mm; 14、基(jī)片厚度:≤5 mm; 15、曝光定時:0~999.9秒可調;
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