G-31B6型高精密（mì）光刻機

產（chǎn）品介紹：

設備概述

本設備廣（guǎng）泛用（yòng）於各大、中、小型企業、大專院校、科研單位，它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表麵波器件、薄膜電路、電（diàn）力電子器（qì）件的研製和生產。

主要構成 本設備為板板對準雙麵曝光

曝光頭部件（jiàn）圖

CCD顯微係統|X、Y、Q對準工作台

1.適用範圍廣

適用於φ160mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙麵可同時曝光，亦可用（yòng）於單麵曝光。

2.結構（gòu）穩定

Z軸采（cǎi）用（yòng）滾珠（zhū）直進（jìn）式導軌和可實現硬接觸、軟接觸（chù）、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片（piàn）機構。

3.操作簡（jiǎn）便

X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式；吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調試、維護、修理都非（fēi）常簡便。 4. 可靠性高

精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。

除標準承（chéng）片台外，還可以為用戶定製專用承片台，來解決非圓形（xíng）基片、碎（suì）片和底麵（miàn）

1、工作台行程(X向、Y向/Z向/θ向）：±5mm/10mm/±5°；

2、適用（yòng）基片尺（chǐ）寸: ≤6英寸；

3、掩模版（bǎn）尺寸：≤ 7″（175×175 mm）；

4、對準精度（正麵（miàn）對準/背麵對準（zhǔn））:±2um/±3um；

5、放大（dà）倍率:51×～570×(ccd連續)；

6、曝光光源:UV365，500W**壓汞（gǒng）燈；

7、曝光麵積:φ160mm；

8、曝光分辨率:2 um（膠厚≤1 um，正膠、真空接觸）；

9、光強（qiáng） :≥ 5mW/cm²；

10、曝光不均勻性（xìng）:±5%；

11、曝光時間:0～999.9s；