G-33D4型高精密光刻機

產（chǎn）品介紹：

設備概述

本設備廣泛用於各大（dà）、中、小型企業、大專院（yuàn）校、科研單位（wèi），主要用於集成電路、半（bàn）導體元器件、光電子器件、光學器件研製和生產,由於本機找平機構**，找平力小，使本機不僅適合矽片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也（yě）適合易（yì）碎片如（rú）砷化鉀（jiǎ）、磷化銦等基片的曝光, 這是一台雙麵對準單麵曝光的光刻機,它不僅能完成普通（tōng）光刻機的任何工（gōng）作,同（tóng）時還是一台檢查雙麵對準精度的檢查儀。

主要構成LED專用曝（pù）光頭、

  主要功能特點

（1）4″LED紫（zǐ）外專用曝光頭

（2）曝光（guāng）麵積：110mm×110mm；

（3）曝光強度：0～30mw/cm²可調；

（4）紫外光束角：≤3°；

（5）照明不均勻性： ≤3%；

（6）紫外光源壽（shòu）命：≥2萬小（xiǎo）時（shí）；

（7）采用電子快門；

（8）套刻（kè）精度：1μm

（9）觀察係統為上下各兩（liǎng）個無級變倍、高分辨率單筒顯微鏡上裝四個CCD攝像頭通（tōng）過視屏線連接計算機（jī）到19″高清（qīng）液晶顯視屏上。

a、 單（dān）筒顯微鏡為1.6X～10X連續變倍顯微鏡；

b、CCD攝像機靶麵對角線尺寸（cùn）為：1/3″；

c、 采用19″液晶監視器，其數字放大倍率為19÷1/3=57倍；

d、觀察係統放大倍數為：1.6×57=91倍（*小倍數）

10×57=570倍（*大倍數）；