G-31D4型高精密光刻機  

產品介紹：

設備概述

本設備廣（guǎng）泛用於各大、中、小型企業、大專院校、科研單位，它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件（jiàn）、光電子器件、聲表麵波器件、薄膜電路、電力電子器件的研製和生產。主要構成 本設（shè）備為板板對準雙麵曝（pù）光<span style="font-family:;" "="">

主要由雙目視場CCD顯微顯示係統、二台4"LED專用曝光頭（tóu）、PLC電控係統、高精度對準工作台、Z軸升降機構、真空（kōng）管路係統、氣路係統、直聯式真空泵、二級防震工作台等組成。

主要功（gōng）能（néng）特點

1.適（shì）用（yòng）範圍廣（guǎng）

適用於φ100mm以下、厚度（dù）5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙麵可同時曝光，亦可用（yòng）於單麵（miàn）曝光。

2.結構

Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片機（jī）構。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉（zhuǎn）、Z軸升降采用手動方式；吸版、反吹采用按（àn）鈕方式，操作、調試、維護、修理都非常簡便。

4. 可靠性高

采用（yòng）進（jìn）口（日本產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動係統（tǒng）、真空管路係統和精（jīng）密的機械零（líng）件，使本機（jī）運行具有非常高的可靠性。采（cǎi）用進口（日本（běn）產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動係統、真（zhēn）空管路係統和

5. 特設功能

不平（píng）的基片造成的版片分離不開所引起（qǐ）的版片無法對準的問題（tí）  

主要技術指標

2、曝（pù）光麵積：102×102mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可（kě）調；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、工（gōng）作（zuò）麵溫度：≤30℃

9、采用電子快門；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光模式：雙麵（miàn）同時曝光

12、對準範圍：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋轉範圍：Q向旋轉調節≤±5°

15、顯微係統（tǒng）：雙視場CCD係統，物（wù）鏡1.6X～10X，計算機圖像處理係統，19″液晶監視器；

16、掩模版尺寸（cùn）：能真空吸附（fù）5"方形掩（yǎn）板，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基片尺寸：適用於4"基片，基片厚度0.1－2mm。