成都鑫南光（guāng）機械設（shè）備有限公司帶您了解四川光刻機的*新進展。

在光刻技術（shù）和微電子（zǐ）設備的發（fā）展過（guò）程中，二者是共生、依存的關係，二（èr）者的發展進步都離不開對方的演變。在上世紀**台光（guāng）刻機問世後，光刻技術一直都在以（yǐ）驚人的速度發展，我國的（de）光刻技術發展成果也非常顯著，已經可以熟練掌握2μm、1μm、0.5μm、0.25μm 等不同要求的光刻技術，並著重研發了1μm 光刻技術，且取得了較大成就。當然，在光刻技術發展的過程中，微電子設備的發展也在不（bú）斷進行著。**上**個半（bàn）導體晶體管同樣誕生於上個世紀，到目前為（wéi）止，半導體晶體管的發展已經經（jīng）曆了半個多世紀的時間，加工尺寸越來越小。

四川光刻機在（zài）經曆了半個世紀左右的發展後，光刻技術已經基本成熟，其理論依據、技術能力已經到達（dá）了一定的瓶頸。從光刻技術的發（fā）展曆程（chéng）來看，隨著光刻手段的（de）不斷更新，光刻技術能夠完（wán）成的尺寸越來越小，但是這種（zhǒng）光刻技術的發展不會讓其能夠完成（chéng）的尺寸無限小下去，根據相關科研人員和業內（nèi）人士的觀點，光刻技術的完成尺（chǐ）寸瓶頸將會是50nm，50nm 可（kě）以說是在目前的光刻原理下光刻技術所能完（wán）成的極限尺寸，小於50nm 的光刻尺寸光（guāng）刻技術將很難能夠完成。也許當光（guāng）刻技術到達50nm後，由於其工作能力無法和微電（diàn）子設備的發展相匹（pǐ）配而會滋（zī）生出新興的技術來取代光刻技術（shù），但是為目前為（wéi）止，人類的光刻（kè）技術（shù）還未能達到（dào）50nm，而且，在（zài）未來幾年（nián）之內，人類的光刻技術（shù）也*多隻能到（dào）達70nm，要達到（dào）50nm的光（guāng）刻標準， ] 2[光刻技術還（hái）將經曆一（yī）段較長的發展曆程。

據科研人員描述，70nm光（guāng）刻技術已 經具有相當的難度，包含了多種高（gāo）科技的光刻手段，而光刻技術要想（xiǎng）超越50nm的瓶頸，必須采用跨（kuà）越式的光刻技術，這將是未來人（rén）類光（guāng）刻技術發展的一大（dà）目標

相信四川光刻（kè）機未來的發展會（huì）越來越（yuè）好的。