**小編要跟大家一起分享的內容是四川光刻（kè）機的光刻原理，想知道嗎？

光刻是半導（dǎo）體芯片生產流程中*複雜、*關鍵的工藝步驟，耗（hào）時長、成本高。半導體芯片生產的難（nán）點和（hé）關鍵點在於將電路圖從掩模上轉移至矽片上，這一過程通（tōng）過光刻來（lái）實（shí）現， 光刻的工藝水平直接（jiē）決定芯片的（de）製（zhì）程水平和性能水平（píng）。芯片在生（shēng）產中需要進行 20-30 次（cì）的光刻（kè），耗時占到 IC 生產環節的 50%左右，占芯片生（shēng）產成（chéng）本的 1/3。

四川光（guāng）刻機（jī）的工藝流程是怎樣的呢？光刻（kè）分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區別在於兩（liǎng）者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在（zài）曝光後會因為（wéi）交聯而變得不可溶解，並會硬（yìng）化（huà），不會（huì）被溶劑洗掉，從而該部分矽片不會在後續流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上（shàng）的圖形與掩模版上圖形相反。

光刻完成後對沒有光刻膠保護的矽片部分進行刻蝕，*後洗去剩餘光刻膠， 就實現了半導（dǎo）體（tǐ）器件在矽片表麵的構建（jiàn）過（guò）程。

光刻的原理是在矽片表麵覆蓋一層具（jù）有（yǒu）高度光敏感（gǎn）性光刻膠，再用光（guāng）線（一般是紫外光、深（shēn）紫外（wài）光、極紫外光）透（tòu）過掩模照射在（zài）矽片表麵，被光線照射到（dào）的光刻膠會發生（shēng）反應。此後用特定溶劑洗（xǐ）去被照射/未被照射的光（guāng）刻膠， 就實現了電路圖從掩模（mó）到矽片的轉移。

現在你是不是更加了解四川光刻機（jī）了呢？